トランジスタの最大定格にVceo Vcbo Vebo等があります。Vceoの逆電圧は最大定格にはあまり記載されていませんが、Veboと同じ程度の電圧です。
http://www.rohm.co.jp/en/tr/tr_what3-j.html

これに関連して、過去に経験した例です。（電源はDC12V)
センサー配線を電源・出力・GNDの3本の配線でつないであり、センサーの出力はリレーを動作させて、リレー接点を出力に接続されていました。

配線を誤って接続し、電源とGNDを逆に接続したところ、リレーを駆動しているトランジスタが破裂しました。

何故　トランジスタが破裂したのか？
実は皆さんが何気なく使っている回路の怖さが隠れています。

ishibashiya様、やま様へ

またまた投稿する種が出てきてしまいました。
４月１５日からはじめて、まだ一月しか経っていないのにもう１５０
くらい投稿しているみたいです。
別に大量に投稿してやろうとか、記録をつくってやろうとか、ジャック
しようとかいう気持ぜんぜんないのに、どんどん出てきてしまうので
困っています。病気ですね。母が死んだからかなー。ここ１３年の重し
が、一気になくなってしまったのでおかしいんですよ。
落ち着かないんですよね。

■さて本題です。単に話だけなのですが、逆ＴｒのＶ－Ｉカーブの
周波数特性も気になりますね。
つまり、下に上げたファイル１のような回路でＴｒ＋Ｒにかける電圧を
０から１５Ｖくらい変化する正弦波とします。この周波数を変えていって
Ｖ－Ｉカーブ（オシロＸＹ）の様子をみるのです。
こんな研究された方いないでしょうね。
周波数は１００ＭＨｚくらいまでみたいのですが、１００ＭＨｚで
１５Ｖ振らせるのは無理ですね。
コンデンサ充電電圧を抵抗で降下させていってもいいですね。降下速度は
抵抗で決まる。

早い動きのときでも、成り立つかどうか気になります。

■私の経験では、薄膜の磁気特性は周波数によって変わります。
１Ｈｚと１００ｋＨｚでは大きく違います。

■ただ、ishibashiya様の検討はこれが普遍という前提でいいと思います。
上の問題はこれとは無関係な関心です。

１００ｐｓくらいの時間というのは、電子の動きの限界が周波数でいうとテラオーダーであるそうですから、ものすごい速度ですね。

瞬間と形容できる速度ですね。今回は、それを「瞬間」ですまさないで、明らかにしたわけです。

「エレ工房さくらい」の製品、その関連のサイトの紹介、そしてこの問題の検討。

桜井さんやそれを紹介された方にも見てもらいたいですね。

知らないでしょうが、知ったら喜ぶでしょうね。

ishibashiyaさん　ご説明ありがとうございます。
負性抵抗領域を移動する時間はかなり高速なので、測定は出来ないとは思いますが、考え方はすっきりしましたね。

逆トランジスタでは詳細な負性抵抗領域の特性Dataは取得されていませんが、大学時代にPNPNスイッチで詳細なDataを取得したことがありました。
PNPNスイッチでは負性抵抗領域の特性が測定できなかったり、部分的に正特性があったりとかなり複雑な負性抵抗の特性でした。
もし、この逆トランジスタの負性抵抗領域に正特性領域が存在した場合は、正特性領域を通った時に、そこに留まってしまうことが起こり得ると思われます。
この点はどうでしょうか？

お待たせしました．電源電圧を徐々に下げ、オンからオフに移行するプロセスの差分的解釈です．オフからオンの場合と本質的には同じです．

やまさん、コメントありがとうございます．OFF動作も当然説明可能です．これから病院へ行きますので、帰ってから回答を考えます．

もうちょっとで負性抵抗解明の最後までたどり着けますが、
OFF動作もインダクタンスで、ワープから抜け出せるのでしょうか？
これがクリアされれば、負性抵抗の説明は完璧と思います。

回路設計のPointでは　Simple is the best.　と考えています。
このため、発振回路としてはこの回路がトランジスタのブレークダウンを使ってないものであればBestな回路です。
その根拠は　
①部品点数がかなり少ないこと　C R　Trの3個　＋LEDで4個
②消費電流が少ないこと　消費電流はコンデンサの充電電流
③電流の無駄が無いこと　コンデンサの電荷でLEDが瞬灯する
です。
なかなかこのような回路にはめぐり合えないです。

aaaaaa様、分かっていただけたようですね．現実の回路には否応なしに存在するインダクタンスを考慮しないと、解けない回路、すなわち存在してはいけない回路になってしまうのです．この回路にコンデンサと抵抗を追加すると、発振回路として差分解釈が可能になります．差分のプロには失礼ですが、未知数が2つになります．頑張って挑戦してください．

ishibashiya様へ

ずいぶん考えてしまいました。
こういうことですか？

■
di/dt=(Vp+ - Vtr)/L　　　(1)

Vp+：定数
i,Vtr:変数

■　差分方程式とする（差分は任せてください、元プロですので）。

i--->i(1),i(2), ... ,i(n)
Vtr-->Vtr(1),Vtr(2), ... ,Vtr(n)

(1)式より、
i(n+1)=(Vp+ - Vtr(n))⊿t/L+i(n)
Vtr(n+1)=VTRIV特性(i(n+1))

■　つまり、Ｌを考えるだけで、ｑ６までどうやって行くかが説明
できるというわですね。
Ｌがあれば、必ず逆ＴｒのＶ－Ｉ特性線を有限時間かけて
最終点まで行く、ということですね。

どなたも直列インダクタンスの件にコメントいただけないので、マッチポンプ的にコメントします．先程の、ピーク電圧を越えるか超えない電圧を印加したときのパラドックスを、直列抵抗ゼロ、すなわち電源直接印加で考えてみました．このほうがもっと考えにくそうだと思ったもので．もっと図に書きこめば、直感的理解の助けになるとも思ったのですが、図がごちゃごちゃになるので、諦めました．良く考えたら、aaaaaaさんの大嫌いな差分ですよね．我慢してください．ひとつ言えることは、たった一つインダクタンスを加えるだけで、頭痛ネタの「ワープ」が消し飛んでしまうと言う事です．「こんなことをしたら、素子が過大電流で破壊されるじゃないか」等と無粋なことは言わないでください．あくまで思考実験です．

■私は昔シミュレーションのみやっていた者です。差分、有限要素法
と進みました。まさに机上の空論です。
　現在では反シミュレーション派、というより大嫌いな者です。
知り尽くしているからこそ批判できます。
　まあ、天気予報など見ていると、たいしたものだとは思いますけど。
　
　昔、ＮＳ社のピース氏がスパイスのことをぼろくそにけなしておりました。
間違った答えを平気で出す、とのことです。結果を推測できない者がやると
恐ろしいことになります。結果を推測できる者がやればいいのですが。
有限要素法でも、とんでもない結果を出さないように設定する高度な知識
と技術がいるものです。シミュレーションは、若い人には向いていません。

■確かに、やまさんモデルはおおざっぱに見るときはいいが、通用しない
場面もある。たとえば、Ｃの電圧がｑ１を少し超えたところの振る舞い
など。Ｔｒにも電流流れ、Ｃも充電されていく。
この場合Ｃは電源ではない。
私はどうしても物理的
考察が好きです。


■
＞　これを書きながら新たなパラドックスを思いつきました．
＞逆トランジスタのようなS型負性抵抗素子に100Ω程度の小さな抵抗を
＞介し電源を接続します．電源電圧をゼロからゆっくり増加します．
＞電源電圧が逆トランジスタのピーク電圧（8.3V) を超えたとき、
＞トランジスタの動作点は一体どんな動きをするのでしょうか？

下のファイルに書き込んで見ました。Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は電源電圧の
違いです。Ｅ１の場合Ｔｒ線と３回交差しますが、電源上げていった
場合、ｐ１なるのかなー。やまさんの指摘のように電気的に刺激すれば
ｐ２に飛ぶこともある。なんだかバンド理論みたいですね。
Ｅ２，Ｅ３になると正抵抗部しか交差しない。

aaaaaさん　ishibashiyaさん　お疲れ様でした。

負荷の選択によって、負性抵抗に交わらないような高い角度の負荷線を引くと、またまた面白いことが起きます。
40年弱前の大学時代の研究はまさにこれでした。PNPNスイッチが赤外発光LEDでしたので、レンズの窓から強い光をデバイスに当てると、光エネルギーが内部で電気エネルギーに変わり電圧を励起して、OFF特性からON特性へ飛ばすことができました。

本題の｢逆電圧でトランジスタ破裂！｣は負荷抵抗が非常に小さい場合に、12Vの逆電圧を印加すると、OFF特性から負荷線を通してON特性へ移動し、大電流でトランジスタが加熱し破損しました。
ディスクリートのトランジスタのモールドが割れて、トランジスタのチップの下だけが残っていたことをまだ記憶の中に見えます。

これは簡単に実験できますから不要なトランジスタと12V程度の電源をお持ちの方はぜひ実験してみてください。ただし、煙が出たり破裂したりと少し怖いので透明のケースの中で実験したほうが良いです。

コンデンサがあると、負荷線が全く変わります。つまり、ブレークダウンした瞬間にコンデンサが放電状態になります。つまりもう一つの電源（コンデンサの電荷）ができます．
****************************
これは、過渡現象を定性的に説明するときによく使われる言い方です．過渡的には、コンデンサは電圧源、インダクタは電流源としてみれば良いという言い方です．私の説明の中でも、「コンデンサの端子電圧は瞬間的には変化できないから」という言い方をしているはずです．だからといって、トランジスタの電圧、電流で決まる動作点がV-I特性を無視して虚空をジャンプして良いということにはなりません．やまさんのご説明は、発振回路の大まかな波形や、発振周波数などを求める際には有用だと思います．しかし、aaaaaaさんのように、回路の動作を物理現象として解明しようとする場合には論理に飛躍があるように思います．しかし、これを書きながら新たなパラドックスを思いつきました．逆トランジスタのようなS型負性抵抗素子に100Ω程度の小さな抵抗を介し電源を接続します．電源電圧をゼロからゆっくり増加します．電源電圧が逆トランジスタのピーク電圧（8.3V) を超えたとき、トランジスタの動作点は一体どんな動きをするのでしょうか？このシンプルな問題を論理的に説明出来れば、発振現象も説明できると思います．それにしても、この種の問題の議論に、シミュレーター使いの皆様のご意見がないのは腑に落ちません．ワープを認めないシミュレータには解けない問題だからでしょうか．「シミュレータに（その動作を）解けない回路は存在しない」という言葉がもしあるとすると、「この回路の動作は、シミュレータでは解けない．故にこの回路は存在しない」ということになりますね．冗談でですけど．

完成！！！

■　なるへそ、コンデンサ＝可変電圧源＋内部抵抗
つまり、Ｅｃ＋ＥＳＲ　ってか？

では、わたくしめが整理してしんぜよう。

これと、Ｖｃｃ＋Ｒをあわせると、次の電源になる。
テブナン電圧Ｅｔ、テブナン抵抗ＲｔはＥＳＲ＜＜Ｒだから、

Ｅｔ≒Ｅｃ、Ｒｔ≒ＥＳＲ（１Ωくらいかな）

となる。このＲｔの負荷線、略してＲｔ線が放電とともに、左に
動いていく、と考えればいいのかな？ちょっと苦しい近似かなぁー。
やまさん、このＲｔ線はけして消えることは無い。
Ｃに電荷がある限り。消してはいけませんぞな。

ｑ１をすぎると、ｑ１からほぼ真上にのびたＲｔ線とＴｒ線の
交点ｑ６に行く。

Ｒｔ線は放電により左に動いていく。交点がｑ４にきて、さらに
Ｒｔ線が左にいったとき、Ｒｔ線とＴｒ線の交点は電流０の部分のみとなる。

よって、電流は停止する。Ｅｔはｑ４の電圧となっている。

そして、Ｃに充電が始まるとＥｔはｑ４の電圧から右に動いていく。Ｔｒ線との交点はｑ１まで電流０である。
そしてＥｔ＝ｑ１になるとその交点はｑ６になる。
そしてＥｔは左に動いていく。

ってかな！


■　では負性抵抗で無かったならどうかな？
つまり、ｑ１からｑ６までが正抵抗だったら？

同じようにＣが充電されｑ１に行ったとする。
ｑ１すぎると、Ｔｒにわずかに電流流れ始まる。
ＶｃｃとＲによりＴｒ電流が流され、Ｃも充電しながら、
Ｒ線とＴｒ線の交点まで行って平衡する。

上の場合との違いは、ｑ１のあと、Ｒ線とＴｒ線の交点まで、
Ｔｒ線が連続した右上がりの線であるということである。



■　では、負抵抗をもっていても、Ｒを小さくして、Ｒ線が
正抵抗部分でＴｒ線と交差している場合はどうであろうか？
たとえば、ｑ６の少し右でＲ線と交わる（ｑ８とする）
ような小さいＲとしてみる。
ｑ１のあと。Ｒｔ線によりｑ６までいく。
その後は動作点は、左にいかないで、右にいく。というのは、
ｑ８はｑ６より電圧も電流も大きい。であるから、ｑ６に到達した
Ｃを充電し、Ｔｒにも電流流しながらＲＣの時定数でｑ８まで
行き、平衡する。



やれやれ・・・（＾＾）

いやいや超ベテランが嵌ってしまいましたね。そろそろ種明かしします。
コンデンサが無いときの負荷線は、グラフに引かれた線ですので、コンデンサが無いと、負性抵抗と負荷線が交わった位置で止まります。

コンデンサがあると、負荷線が全く変わります。つまり、ブレークダウンした瞬間にコンデンサが放電状態になります。つまりもう一つの電源（コンデンサの電荷）ができます。
コンデンサの内部抵抗はかなり低いため、この瞬間にほぼ垂直方向の負荷線がコンデンサによって引かれます。この負荷線によって、動作点がON特性の交点へ移動します。
この後、コンデンサが放電し、ON特性に沿って動作点が降りてきます。そして、ブレークダウンを維持できる電流値を下回った時に、負荷線を伝わってOFF特性へ移りますが、コンデンサは放電できなくなり、コンデンサによる負荷線が消えます。
コンデンサが魔術師になって、ONした時は負荷線を出し、OFFした時は負荷線を消しますので、あたかも動作が｢ワープ｣するように見えます。

●●●部分を追加しましたので、再投稿させていただきます。

ishibashiya様の『ワープ理論』を熟読しました。
それにもとづいて考えました。
しかし。ishibashiya様と違う点もありますが土台になっていることは
確かであります。

『ワープ理論』の１ページの右上の図を見ながら考えます。
もう一度このファイルを上げておきました。

●　まず、キルヒホッフの法則がいかなるときでも成り立つとします。
その範囲で考えるとします。電子ちゃんがついてこられない高速現象
を考えなくてはいけないのかもしれないが、それは今後の課題とします。
Ｔｒ、Ｒ、Ｃの接続点に流れ込む電流の和は０とします。

●　Ｔｒ，Ｒ，Ｃの接続点の電圧は同じとします。

■■　静特性の測定

Ｃはなしとします。
これはＶｃｃを０から上げながらＴｒ電圧、電流を測るのでしょう。
つまり、Ｒ線がどんどん上がっていきます。
サイトの測定結果はちゃんと測れているらしいです。
Ｖｃｃを０からあげていき、Ｖｃｃがｑ１を超えるとＴｒに
流れ始まります。その電流値はＲ線とＴｒ線の交点です。
この測定ができたということは、Ｒ線とＴｒ線の交点が、負抵抗領域
にあっても発信が起こらなかった、ということになります。

■■　発振過程

　Ｃを入れます。Ｖｃｃをつなぎます。Ｃ電圧（Ｔｒ，Ｒ電圧でもある）が
上がっていきます。Ｒ電圧とは、Ｒの両端電圧ではなくＴｒにつながっている
部分の電圧（上の仮定で＝Ｔｒ電圧）をいいます。
　Ｔｒ電圧がｑ１になったときＴｒに電流流れ始まります。そこで、ｐ１のほうへ
いきます。Ｔｒ電流はＲとＣから供給されます。ｐ１の方にいくと、Ｔｒ電圧が
下がりますので、それまでＲによって充電されていたＣの電荷は流れ出るしか
ありません。電圧関係から考えると充電はできません。すると、Ｔｒの電流は
ＲとＣからの電流の和となり、ｐ１にいられなくなります。ｐ１ではＲ，Ｃから
出てくる電流を、Ｔｒが受け入れられません。キルヒホッフ則が成り立ちません。
　つまり、キルヒホッフ則が成り立つ点に行く、ワープする、と考えるのが
今のところ妥当なところかとおもいます。Ｒ，Ｃの値によって違ってきますね。
その点が、図のｑ６だったとします。もしかしたら、ｑ３であるかもしれませんが
とりあえず、ｑ６とさせてください。

●●●ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー
この過程は異なる電流源の戦いとみることもできます。
同一点に、その和が０でない電流源がつながれれば、その点の電圧は正か負に飛んでいきます。
ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー

　Ｃは電圧源ではありませんから、電流放出とともに電圧が下がります。
なんとなくですが、その過程は、ｑ４まではＴｒ線に従い変化できると思います。
　ｑ４を過ぎても、Ｔｒ電流は下がり続けることは、確実でしょう。Ｃからの
供給がなくなってしまうのですから。ｑ４を過ぎると、Ｔｒ電流が下がるに従い
Ｔｒ電圧は上げなくてはいけなくなります。
　
　このとき（ｑ４にいるとき）、もしＣを取り除いてしまえば、ｑ２に行ける
かもしれません。ここが、キルヒホッフ則の成り立つ点なのですから。
これもワープと言わないまでも、電子の移動速度くらいの過渡現象で行くと
考えます。これはいまのところ謎です。ｑ２は安定して存在できる所なのか？

　しかし、Ｃがあると、先のｑ１を過ぎてからの過程と同じで、Ｔｒ電圧が
上がろうとすると、Ｃに電流が流れてしまい、キルヒホッフ則を満たす
ことのできる点はｑ４からｑ２までの点ではありません。というのは、この
領域では、ＲよりＴｒに流れる電流のほうが大きいからで、これではＣに電流
を供給できません。そのことはｑ２からｑ１までの領域でもいえるかもしれません。

●●●ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー
ここでも、異なる電流源の戦いと同じように、つまりＣとＴｒにより
ＧＮＤに流される電流とＲにり供給される電流の違いにより、３つ素子の
つながっている点はＧＮＤに落とされてしまうのです。
Ｖｃｃにつながっている電流源Ｉ１（流出）と、ＧＮＤにつながっている電流源Ｉ２（流入）をつなげたとき、Ｉ２＞Ｉ１であれば、その点はＧＮＤに瞬間的にいきますよね！
ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー

といった具合で、ｑ７に行くしかない、ということです。かなり雑な話である
ことはわかっていますが・・・

ishibashiya様の『ワープ理論』を熟読しました。
それにもとづいて考えました。
『ワープ理論』の１ページの右上の図を見ながら考えます。
もう一度このファイル上げておきました。

●　まず、キルヒホッフの法則がいかなるときでも成り立つとします。
その範囲で考えるとします。電子ちゃんがついてこられない高速現象
を考えなくてはいけないのかもしれないが、それは今後の課題とします。
Ｔｒ、Ｒ、Ｃの接続点に流れ込む電流の和は０とします。

●　Ｔｒ，Ｒ，Ｃの接続点の電圧は同じとします。

■■　静特性の測定

Ｃはなしとします。
これはＶｃｃを０から上げながらＴｒ電圧、電流を測るのでしょう。
つまり、Ｒ線がどんどん上がっていきます。
サイトの測定結果はちゃんと測れているらしいです。
Ｖｃｃを０からあげていき、Ｖｃｃがｑ１を超えるとＴｒに
流れ始まります。その電流値はＲ線とＴｒ線の交点です。
この測定ができたということは、Ｒ線とＴｒ線の交点が、負抵抗領域
にあっても発信が起こらなかった、ということになります。

■■　発振過程

　Ｃを入れます。Ｖｃｃをつなぎます。Ｃ電圧（Ｔｒ，Ｒ電圧でもある）が
上がっていきます。Ｒ電圧とは、Ｒの両端電圧ではなくＴｒにつながっている
部分の電圧（上の仮定で＝Ｔｒ電圧）をいいます。
　Ｔｒ電圧がｑ１になったときＴｒに電流流れ始まります。そこで、ｐ１のほうへ
いきます。Ｔｒ電流はＲとＣから供給されます。ｐ１の方にいくと、Ｔｒ電圧が
下がりますので、それまでＲによって充電されていたＣの電荷は流れ出るしか
ありません。電圧関係から考えると充電はできません。すると、Ｔｒの電流は
ＲとＣからの電流の和となり、ｐ１にいられなくなります。ｐ１ではＲ，Ｃから
出てくる電流を、Ｔｒが受け入れられません。キルヒホッフ則が成り立ちません。
　つまり、キルヒホッフ則が成り立つ点に行く、ワープする、と考えるのが
今のところ妥当なところかとおもいます。Ｒ，Ｃの値によって違ってきますね。
その点が、図のｑ６だったとします。もしかしたら、ｑ３であるかもしれませんが
とりあえず、ｑ６とさせてください。

　Ｃは電圧源ではありませんから、電流放出とともに電圧が下がります。
なんとなくですが、その過程は、ｑ４まではＴｒ線に従い変化できると思います。
　ｑ４を過ぎても、Ｔｒ電流は下がり続けることは、確実でしょう。Ｃからの
供給がなくなってしまうのですから。ｑ４を過ぎると、Ｔｒ電流が下がるに従い
Ｔｒ電圧は上げなくてはいけなくなります。
　
　このとき（ｑ４にいるとき）、もしＣを取り除いてしまえば、ｑ２に行ける
かもしれません。ここが、キルヒホッフ則の成り立つ点なのですから。
これもワープと言わないまでも、電子の移動速度くらいの過渡現象で行くと
考えます。これはいまのところ謎です。ｑ２は安定して存在できる所なのか？

　しかし、Ｃがあると、先のｑ１を過ぎてからの過程と同じで、Ｔｒ電圧が
上がろうとすると、Ｃに電流が流れてしまい、キルヒホッフ則を満たす
ことのできる点はｑ４からｑ２までの点ではありません。というのは、この
領域では、ＲよりＴｒに流れる電流のほうが大きいからで、これではＣに電流
を供給できません。そのことはｑ２からｑ１までの領域でも
いえるかもしれません。

といった具合で、ｑ７に行くしかない、ということです。かなり雑な話である
ことはわかっていますが・・・

ワープという言葉に引っかかってしまっていますので、もっとシンプルに｢スイッチのON/OFF｣と考えれば良いと思います。

ONは、逆トランジスタにかかる電圧がブレークダウン電圧を超えればONになる。（ON特性になる）
OFFは、逆トランジスタに流れる電流が少なくなるとブレークダウンを維持できなくなりOFFする。（OFF特性になる）
また逆トランジスタのOFF特性とON特性の間に負性抵抗がります。
この負性抵抗を使って、抵抗とコンデンサの少ない部品で発振動作が可能になります。

単純にスイッチと考えれば、ON→OFF　OFF→ONの転移は理解できると思います。

いま、ishibashiya様の「ワープ理論」読んでいるところです。
頭わるいせいか、思考が続かなくなってしまう。

非線形、しかも負性抵抗であるので難しい。

限界を感じます。

「ワープ理論」を理解、検討してコメントします。

でも私、こういうの好きですよ！

ishibashiyaさん　ONがP1->P6の動作点をたどるとすると、OFFはq6->P1－>q1->q7と動作点が移動することになりますね。これこそ最も難しい説明になると思います。

OFFした瞬間に同じ電位のOFF特性へ移動すると考えたほうがわかりやすいです。

かってPNPNスイッチで負性抵抗の領域のDataを詳細に取ったことがありましたが、部分的に正特性になったり動作点が繋がっていない（測定できない）点もありました。

負性抵抗は一筋縄ではいかないです。

コンデンサの電位は急激に変わらない　ということと　動作点がP1－＞P6へ移動するというのは　コンデンサの電位で矛盾します。
************************
⇒私の考察のこの部分は、瞬時移動ではないので、コンデンサの端子電圧は変化するものと考えています．
***************************
つまり、P1->P6へ動作点が移動するときに、負領域では電圧が下がり、正領域では電圧が上がることになり、電圧が急激に変化しています。
****************************
⇒この電圧変化のメカニズムの解明が難しいのです．
+++++++++++++++++++++++++++++
ブレークダウンした瞬間にコンデンサの同じ電位でON特性の電流が流れ、コンデンサが放電する　と考えたほうがわかりやすいです.
*****************************
⇒瞬間的に電流が流れる、すなわちdi/dt=∞というのがネックですね．
ところで、やまさんは、ワープ（瞬間移動）を信じておられるのでしょうか？